Advanced Member
Покинул форум
Сообщений всего: 463
Дата рег-ции: Авг. 2007
Репутация: 0
Карма 2
|
Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа — с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путём расплавления и затвердевания крошечных кристаллов.
Данный вид памяти в скором будущем должен составить сильнейшую конкуренцию традиционной флэш-памяти и постепенно вытеснить её с рынка.
Новая микросхема обладает ёмкостью в 512 мегабит. Как сообщает компания в своём пресс-релизе, PRAM производит стирание ячеек почти в десять раз быстрее, чем современные образцы флеш-памяти, а темп перезаписи информации превышает показатель флешек в семь раз.
Ячейки PRAM основаны на кусочках полупроводника микроскопических размеров. При записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи электрического импульса.
Фазы сильно различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует. Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для расплавления и последующей заморозки кристалла.
К примеру, в одном из недавних экспериментов, проведённом Манфредом Вуттигом (Manfred Wuttig) из Берлинского технологического университета, учёные испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров (о чем сообщали в Nature). В этих клетках переход между состояниями совершался всего за 16 наносекунд – быстрее любой существующий на сегодняшний день технологии.
По оценке Samsung, применение PRAM в мобильных устройствах за счёт меньшего энергопотребления такой памяти способно увеличить время работы аккумуляторов на 20%.
Новость с www.membrana.ru |
Помощь
Поиск
Пользователи
Соединяющий Миры » Наука и религия » Информационные и компьютерные технологии (Модератор: alRufo)
Описание: Компьютерная память нового типа
